IRF150P220AKMA1 vs IRFP250MPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF150P220AKMA1 द्वारा Infineon और IRFP250MPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF150P220AKMA1 | IRFP250MPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $2.55 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | IRF150P220AKMA1 | IRFP250MPBF |
| Technology | StrongIRFET | HEXFET (IR MOSFET) |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 203 A | — |
| On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | 2.7 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 556 W | 214 W |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25C | 3.8 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | — |
| पैकेज | TO-247-3 (PG-TO247-3) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| Terminal Finish | Tin (Sn) | — |
| JESD-609 Code | e3 | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 75 mOhm max @ Vgs=10V |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 4 V (typ) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 82 nC |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +175C |
| पैकेज / केस | — | TO-247AC (3-pin + tab) |
| पिन की संख्या | — | 3 |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| MSL स्तर | — | 1 (unlimited) |