IRF150P220AKMA1 vs IRFP250MPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF150P220AKMA1 מאת Infineon ו IRFP250MPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRF150P220AKMA1 IRFP250MPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
מחיר ליחידה (USD) — $2.55
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF150P220AKMA1 IRFP250MPBF
Technology StrongIRFET HEXFET (IR MOSFET)
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS max) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 203 A —
On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 2.7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS max) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 556 W 214 W
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 3.8 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +175C —
מארז TO-247-3 (PG-TO247-3) —
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
Terminal Finish Tin (Sn) —
JESD-609 Code e3 —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Drain-Source Voltage (Vds) — 200 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 30 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 75 mOhm max @ Vgs=10V
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — 4 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) — 82 nC
טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +175C
מארז / Case — TO-247AC (3-pin + tab)
מספר פינים — 3
Avalanche Rated — Yes
רמת MSL — 1 (unlimited)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר