IRF7309TRPBF vs IRF7832TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF7309TRPBF द्वारा Infineon और IRF7832TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF7309TRPBF | IRF7832TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Configuration | Dual N-Channel + P-Channel (Complementary) | — |
| Polarity | N+P | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) | 4 A | — |
| Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) | 3 A | — |
| On-Resistance (N-channel, max) | 50 mOhm | — |
| On-Resistance (P-channel, max) | [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value] | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 1.4 W | — |
| Technology | IR HEXFET Generation V | HEXFET (trench MOSFET) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (TJ) | -55 C to +150 C (TJ) |
| पैकेज | 8-SO (SOIC-8) | 8-SO (SOIC-8) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free Status | Yes (TRPBF suffix = Pb-free) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRF7832TRPBF |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 20 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.0 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical | — | 1.0 V to 2.5 V |
| Total Gate Charge (Qg) typical | — | 34 nC |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.5 W |
| Lead-Free | — | Yes |