IRF7309TRPBF vs IRF7832TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7309TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF7832TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7309TRPBF IRF7832TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Configuration Dual N-Channel + P-Channel (Complementary) —
Polarity N+P —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) 4 A —
Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) 3 A —
On-Resistance (N-channel, max) 50 mOhm —
On-Resistance (P-channel, max) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value] —
Power Dissipation (TA=25C) 1.4 W —
Technology IR HEXFET Generation V HEXFET (trench MOSFET)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (TJ) -55 C to +150 C (TJ)
پیکیج 8-SO (SOIC-8) 8-SO (SOIC-8)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Status Yes (TRPBF suffix = Pb-free) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7832TRPBF
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 20 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.0 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical — 1.0 V to 2.5 V
Total Gate Charge (Qg) typical — 34 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں