IRF7309TRPBF vs IRF7832TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7309TRPBF tarafından Infineon ve IRF7832TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF7309TRPBF IRF7832TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Configuration Dual N-Channel + P-Channel (Complementary) —
Polarity N+P —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) 4 A —
Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) 3 A —
On-Resistance (N-channel, max) 50 mOhm —
On-Resistance (P-channel, max) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value] —
Power Dissipation (TA=25C) 1.4 W —
Technology IR HEXFET Generation V HEXFET (trench MOSFET)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (TJ) -55 C to +150 C (TJ)
Paket 8-SO (SOIC-8) 8-SO (SOIC-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Status Yes (TRPBF suffix = Pb-free) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7832TRPBF
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 20 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.0 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical — 1.0 V to 2.5 V
Total Gate Charge (Qg) typical — 34 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin