IRF7309TRPBF vs IRF7832TRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRF7309TRPBF bằng Infineon và IRF7832TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRF7309TRPBF | IRF7832TRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Configuration | Dual N-Channel + P-Channel (Complementary) | — |
| Polarity | N+P | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) | 4 A | — |
| Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) | 3 A | — |
| On-Resistance (N-channel, max) | 50 mOhm | — |
| On-Resistance (P-channel, max) | [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value] | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 1.4 W | — |
| Technology | IR HEXFET Generation V | HEXFET (trench MOSFET) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C (TJ) | -55 C to +150 C (TJ) |
| Hộp | 8-SO (SOIC-8) | 8-SO (SOIC-8) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free Status | Yes (TRPBF suffix = Pb-free) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRF7832TRPBF |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 20 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.0 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical | — | 1.0 V to 2.5 V |
| Total Gate Charge (Qg) typical | — | 34 nC |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.5 W |
| Lead-Free | — | Yes |