IRF7309TRPBF vs IRF7832TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF7309TRPBF توسط Infineon و IRF7832TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF7309TRPBF IRF7832TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Configuration Dual N-Channel + P-Channel (Complementary) —
Polarity N+P —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) 4 A —
Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) 3 A —
On-Resistance (N-channel, max) 50 mOhm —
On-Resistance (P-channel, max) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value] —
Power Dissipation (TA=25C) 1.4 W —
Technology IR HEXFET Generation V HEXFET (trench MOSFET)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
محدوده دمای کاری -55C to +150C (TJ) -55 C to +150 C (TJ)
بسته‌بندی 8-SO (SOIC-8) 8-SO (SOIC-8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Status Yes (TRPBF suffix = Pb-free) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7832TRPBF
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 20 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.0 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical — 1.0 V to 2.5 V
Total Gate Charge (Qg) typical — 34 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت