IRF7343TRPBF vs IRF7351TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF7343TRPBF द्वारा Infineon और IRF7351TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF7343TRPBF | IRF7351TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Status | Active | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N and P-Channel Complementary MOSFET Array | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET Generation V) | IR MOSFET (HEXFET trench) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel | 55 V | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) - N-Channel | 4.7 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) - P-Channel | 3.4 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel | 0.043 ohm (typical per chipdig.com) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 50 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) | 2 W | 2 W |
| पैकेज | 8-SOIC (SO-8) | 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Part Number | — | IRF7351TRPBF |
| Configuration | — | Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 8 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 17.8 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) | — | 0.0137 ohm (13.7 mOhm) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 24 nC |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55C to +150C (junction) |
| Typical Application | — | Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters |
| RoHS स्थिति | — | Compliant (PBF suffix = lead-free) |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] |