IRF7343TRPBF vs IRF7351TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF7343TRPBF توسط Infineon و IRF7351TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF - 55V Dual N/P-Channel MOSFET | Infineon

IRF7343TRPBF - 55V Dual N/P-Channel MOSFET | Infineon

IRF7343TRPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF7343TRPBF IRF7351TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Status Active —
نوع ترانزیستور N and P-Channel Complementary MOSFET Array —
Technology IR MOSFET (HEXFET Generation V) IR MOSFET (HEXFET trench)
Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel 55 V —
Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel 55 V —
Continuous Drain Current (ID) - N-Channel 4.7 A —
Continuous Drain Current (ID) - P-Channel 3.4 A —
On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel 0.043 ohm (typical per chipdig.com) —
On-Resistance (RDS(on)) max 50 mOhm —
Power Dissipation (PD) 2 W 2 W
بسته‌بندی 8-SOIC (SO-8) 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Lead-Free Yes Yes
RoHS Compliance Compliant —
Part Number — IRF7351TRPBF
Configuration — Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 8 A
On-Resistance RDS(on) max — 17.8 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) — 0.0137 ohm (13.7 mOhm)
Total Gate Charge (Qg) — 24 nC
دمای کاری — -55C to +150C (junction)
Typical Application — Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters
وضعیت RoHS — Compliant (PBF suffix = lead-free)
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت