IRF7343TRPBF vs IRF7351TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7343TRPBF tarafından Infineon ve IRF7351TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF7343TRPBF IRF7351TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Status Active —
Transistor Türü N and P-Channel Complementary MOSFET Array —
Technology IR MOSFET (HEXFET Generation V) IR MOSFET (HEXFET trench)
Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel 55 V —
Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel 55 V —
Continuous Drain Current (ID) - N-Channel 4.7 A —
Continuous Drain Current (ID) - P-Channel 3.4 A —
On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel 0.043 ohm (typical per chipdig.com) —
On-Resistance (RDS(on)) max 50 mOhm —
Power Dissipation (PD) 2 W 2 W
Paket 8-SOIC (SO-8) 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Lead-Free Yes Yes
RoHS Compliance Compliant —
Part Number — IRF7351TRPBF
Configuration — Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 8 A
On-Resistance RDS(on) max — 17.8 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) — 0.0137 ohm (13.7 mOhm)
Total Gate Charge (Qg) — 24 nC
İşletim Sıcaklığı — -55C to +150C (junction)
Typical Application — Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters
RoHS Durumu — Compliant (PBF suffix = lead-free)
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin