IRFR4615TRLPBF vs IRF530NPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR4615TRLPBF द्वारा Infineon और IRF530NPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFR4615TRLPBF | IRF530NPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Technology | IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 60 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | ±20 V |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 42 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 26 nC | — |
| Gate-Source Charge (Qgs) | [DATA_NEEDED: Qgs] | — |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | [DATA_NEEDED: Qgd] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 144 W | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 109 mJ | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | — |
| पैकेज | TO-252AA (DPAK) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Through Hole |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix indicates Pb-free) | — |
| सिंगल पल्स एवलांच एनर्जी | 109 mJ | — |
| Part Number | — | IRF530NPBF |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel HEXFET Power MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 17 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 90 mOhm (max, approximate per datasheet) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Maximum Power Dissition (Pd) at Tc | — | 70 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 C to +175 C |
| पैकेज / केस | — | TO-220AB (through-hole) |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| MSL स्तर | — | N/A (through-hole) |
| Configuration | — | Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) |