IRFR4615TRLPBF vs IRF530NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR4615TRLPBF بذریعہ Infineon اور IRF530NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR4615TRLPBF IRF530NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 60 A
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] ±20 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 42 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 26 nC —
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 144 W —
Avalanche Energy (EAS) 109 mJ —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C —
پیکیج TO-252AA (DPAK) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates Pb-free) —
سنگل پلس ایوالانچ انرجی 109 mJ —
Part Number — IRF530NPBF
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel HEXFET Power MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 17 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 90 mOhm (max, approximate per datasheet)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissition (Pd) at Tc — 70 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +175 C
پیکیج / کیس — TO-220AB (through-hole)
Avalanche Rated — Yes
RoHS اسٹیٹس — Compliant
MSL لیول — N/A (through-hole)
Configuration — Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں