IRFR4615TRLPBF vs IRF530NPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR4615TRLPBF tarafından Infineon ve IRF530NPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR4615TRLPBF IRF530NPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 60 A
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] ±20 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 42 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 26 nC —
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 144 W —
Avalanche Energy (EAS) 109 mJ —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C —
Paket TO-252AA (DPAK) —
Montaj Türü Surface Mount Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates Pb-free) —
Tek Darbe Yıldırım Enerjisi 109 mJ —
Part Number — IRF530NPBF
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Transistor Türü — N-Channel HEXFET Power MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 17 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 90 mOhm (max, approximate per datasheet)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissition (Pd) at Tc — 70 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Paket / Kas — TO-220AB (through-hole)
Avalanche Rated — Yes
RoHS Durumu — Compliant
MSL Seviyesi — N/A (through-hole)
Configuration — Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin