IRFR4615TRLPBF vs IRF530NPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR4615TRLPBF מאת Infineon ו IRF530NPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRFR4615TRLPBF | IRF530NPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Technology | IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 60 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | ±20 V |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 42 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 26 nC | — |
| Gate-Source Charge (Qgs) | [DATA_NEEDED: Qgs] | — |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | [DATA_NEEDED: Qgd] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 144 W | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 109 mJ | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | — |
| מארז | TO-252AA (DPAK) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Through Hole |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix indicates Pb-free) | — |
| אנרגיית מפולת בפולס בודד | 109 mJ | — |
| Part Number | — | IRF530NPBF |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel HEXFET Power MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 17 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 90 mOhm (max, approximate per datasheet) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Maximum Power Dissition (Pd) at Tc | — | 70 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55 C to +175 C |
| מארז / Case | — | TO-220AB (through-hole) |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| רמת MSL | — | N/A (through-hole) |
| Configuration | — | Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) |