IRLML2060TRPBF vs IRLML0030TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLML2060TRPBF द्वारा Infineon और IRLML0030TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRLML2060TRPBF | IRLML0030TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 1.2 A | 5.3 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 4.8 A | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | +/- 12 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.8 V typical | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 480 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=4.5V | 650 mOhm (typical 580 mOhm) | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.25 W | 1.3 W |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) | 100 C/W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +150C | — |
| पैकेज | SOT-23 (Micro3, 3-pin) | Micro3 / SOT-23 (3-pin) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET (Trench Gate) | IR HEXFET Power MOSFET |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| MSL स्तर | MSL1 | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 27 mOhm at VGS=4.5V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (5 V optimized) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 3.6 nC typical |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +150C |
| Soldering | — | Wave-solder capable |
| Qualification | — | JEDEC standard |