IRLML2060TRPBF vs IRLML0030TRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRLML2060TRPBF bằng Infineon và IRLML0030TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRLML2060TRPBF | IRLML0030TRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 1.2 A | 5.3 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 4.8 A | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | +/- 12 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.8 V typical | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 480 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=4.5V | 650 mOhm (typical 580 mOhm) | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.25 W | 1.3 W |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) | 100 C/W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55C to +150C | — |
| Hộp | SOT-23 (Micro3, 3-pin) | Micro3 / SOT-23 (3-pin) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET (Trench Gate) | IR HEXFET Power MOSFET |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Đông trùng haogen | Yes | — |
| Cấp MSL | MSL1 | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 27 mOhm at VGS=4.5V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (5 V optimized) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 3.6 nC typical |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +150C |
| Soldering | — | Wave-solder capable |
| Qualification | — | JEDEC standard |