IRLML2060TRPBF vs IRLML0030TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLML2060TRPBF tarafından Infineon ve IRLML0030TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRLML2060TRPBF | IRLML0030TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 1.2 A | 5.3 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 4.8 A | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | +/- 12 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.8 V typical | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 480 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=4.5V | 650 mOhm (typical 580 mOhm) | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.25 W | 1.3 W |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) | 100 C/W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55C to +150C | — |
| Paket | SOT-23 (Micro3, 3-pin) | Micro3 / SOT-23 (3-pin) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET (Trench Gate) | IR HEXFET Power MOSFET |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Klorürsüz | Yes | — |
| MSL Seviyesi | MSL1 | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 27 mOhm at VGS=4.5V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (5 V optimized) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 3.6 nC typical |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +150C |
| Soldering | — | Wave-solder capable |
| Qualification | — | JEDEC standard |