IRLML2060TRPBF vs IRLML0030TRPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLML2060TRPBF بذریعہ Infineon اور IRLML0030TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRLML2060TRPBF | IRLML0030TRPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 1.2 A | 5.3 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 4.8 A | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | +/- 12 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.8 V typical | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 480 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=4.5V | 650 mOhm (typical 580 mOhm) | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.25 W | 1.3 W |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) | 100 C/W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +150C | — |
| پیکیج | SOT-23 (Micro3, 3-pin) | Micro3 / SOT-23 (3-pin) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET (Trench Gate) | IR HEXFET Power MOSFET |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| MSL لیول | MSL1 | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 27 mOhm at VGS=4.5V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (5 V optimized) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 3.6 nC typical |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +150C |
| Soldering | — | Wave-solder capable |
| Qualification | — | JEDEC standard |