IRLS3034TRLPBF vs BSC027N10NS5ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLS3034TRLPBF द्वारा Infineon और BSC027N10NS5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF - 40V 343A 1.7mΩ N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLS3034TRLPBF - 40V 343A 1.7mΩ N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLS3034TRLPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRLS3034TRLPBF BSC027N10NS5ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय NRND
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 195 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 343 A 194 A
RDS(on) Max at VGS=10V, ID=195A 1.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V (typical) —
Total Gate Charge (Qg) 108 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 375 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40°C to +175°C (TJ) [DATA_NEEDED: Tj min/max]
पैकेज D2PAK (TO-263), Surface Mount PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (planar N-channel) OptiMOS 5 (100V)
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Shipping Format Tape and Reel, 7-inch (TRL) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC027N10NS5ATMA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 214 W
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

डेटाशीट और संसाधन

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