IRLS3034TRLPBF vs BSC027N10NS5ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRLS3034TRLPBF توسط Infineon و BSC027N10NS5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRLS3034TRLPBF BSC027N10NS5ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال NRND
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 195 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 343 A 194 A
RDS(on) Max at VGS=10V, ID=195A 1.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V (typical) —
Total Gate Charge (Qg) 108 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 375 W —
محدوده دمای کاری -40°C to +175°C (TJ) [DATA_NEEDED: Tj min/max]
بسته‌بندی D2PAK (TO-263), Surface Mount PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (planar N-channel) OptiMOS 5 (100V)
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Shipping Format Tape and Reel, 7-inch (TRL) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC027N10NS5ATMA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 214 W
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت