IRLS3034TRLPBF vs BSC027N10NS5ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IRLS3034TRLPBF bằng Infineon và BSC027N10NS5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF - 40V 343A 1.7mΩ N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLS3034TRLPBF - 40V 343A 1.7mΩ N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLS3034TRLPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRLS3034TRLPBF BSC027N10NS5ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động NRND
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 195 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 343 A 194 A
RDS(on) Max at VGS=10V, ID=195A 1.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V (typical) —
Total Gate Charge (Qg) 108 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 375 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -40°C to +175°C (TJ) [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Hộp D2PAK (TO-263), Surface Mount PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (planar N-channel) OptiMOS 5 (100V)
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Cấp MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Shipping Format Tape and Reel, 7-inch (TRL) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC027N10NS5ATMA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 214 W
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá