IRLS3034TRLPBF vs BSC027N10NS5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLS3034TRLPBF tarafından Infineon ve BSC027N10NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRLS3034TRLPBF | BSC027N10NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | NRND |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 195 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 343 A | 194 A |
| RDS(on) Max at VGS=10V, ID=195A | 1.7 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.5 V (typical) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 108 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 375 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -40°C to +175°C (TJ) | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| Paket | D2PAK (TO-263), Surface Mount | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET (planar N-channel) | OptiMOS 5 (100V) |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Shipping Format | Tape and Reel, 7-inch (TRL) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC027N10NS5ATMA1 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 23 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 2.7 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 214 W |
| Qualification | — | Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) |