ISC058N04NM5ATMA1 vs IQE004NE1LM7CGATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC058N04NM5ATMA1 द्वारा Infineon और IQE004NE1LM7CGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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ISC058N04NM5ATMA1 - 40V 63A 5.8mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
ISC058N04NM5ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC058N04NM5ATMA1 | IQE004NE1LM7CGATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 40V Normal Level | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 15 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 63 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 17 A | — |
| On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A | 5.8 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.4 V | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3 W | 2.1 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | 42 W | 89 W |
| पैकेज | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TTFN-9-3 (surface mount) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | N-Channel Trench Power MOSFET |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | — |
| RoHS Compliance | RoHS Compliant | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL per JEDEC J-STD-020 | — |
| Gate Drive Level | Normal Level (10V VGS recommended) | — |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| Continuous Drain Current (ID, TA=25C) | — | 58 A |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | — | 379 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 0.45 mOhm at VGS=10 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55C to +150C (junction) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Packaging | — | Tape & Reel (CGATMA1 suffix) |
| Polarization | — | N-Channel |