ISC058N04NM5ATMA1 vs IQE004NE1LM7CGATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار ISC058N04NM5ATMA1 توسط Infineon و IQE004NE1LM7CGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | ISC058N04NM5ATMA1 | IQE004NE1LM7CGATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دستهبندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 40V Normal Level | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 15 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 63 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 17 A | — |
| On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A | 5.8 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.4 V | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3 W | 2.1 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | 42 W | 89 W |
| بستهبندی | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TTFN-9-3 (surface mount) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | N-Channel Trench Power MOSFET |
| محدوده دمای کاری | -55C to +175C | — |
| RoHS Compliance | RoHS Compliant | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL per JEDEC J-STD-020 | — |
| Gate Drive Level | Normal Level (10V VGS recommended) | — |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| Continuous Drain Current (ID, TA=25C) | — | 58 A |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | — | 379 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 0.45 mOhm at VGS=10 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| دمای کاری | — | -55C to +150C (junction) |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Packaging | — | Tape & Reel (CGATMA1 suffix) |
| Polarization | — | N-Channel |