ISC058N04NM5ATMA1 vs IQE004NE1LM7CGATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار ISC058N04NM5ATMA1 توسط Infineon و IQE004NE1LM7CGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IQE004NE1LM7CGATMA1 IQE004NE1LM7CGATMA1 - 15V OptiMOS 7 0.45mOhm N-FET | Infineon

IQE004NE1LM7CGATMA1 - 15V OptiMOS 7 0.45mOhm N-FET | Infineon

IQE004NE1LM7CGATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر ISC058N04NM5ATMA1 IQE004NE1LM7CGATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 40V Normal Level —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 15 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 63 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 17 A —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A 5.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.4 V —
Power Dissipation (TA=25C) 3 W 2.1 W
Power Dissipation (TC=25C) 42 W 89 W
بسته‌بندی PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TTFN-9-3 (surface mount)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET N-Channel Trench Power MOSFET
محدوده دمای کاری -55C to +175C —
RoHS Compliance RoHS Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL per JEDEC J-STD-020 —
Gate Drive Level Normal Level (10V VGS recommended) —
Series — OptiMOS 7
Continuous Drain Current (ID, TA=25C) — 58 A
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 379 A
On-Resistance RDS(on) max — 0.45 mOhm at VGS=10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
دمای کاری — -55C to +150C (junction)
وضعیت RoHS — Compliant
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Packaging — Tape & Reel (CGATMA1 suffix)
Polarization — N-Channel

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت