ISC058N04NM5ATMA1 vs IQE004NE1LM7CGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC058N04NM5ATMA1 tarafından Infineon ve IQE004NE1LM7CGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQE004NE1LM7CGATMA1 IQE004NE1LM7CGATMA1 - 15V OptiMOS 7 0.45mOhm N-FET | Infineon

IQE004NE1LM7CGATMA1 - 15V OptiMOS 7 0.45mOhm N-FET | Infineon

IQE004NE1LM7CGATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC058N04NM5ATMA1 IQE004NE1LM7CGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 40V Normal Level —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 15 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 63 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 17 A —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A 5.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.4 V —
Power Dissipation (TA=25C) 3 W 2.1 W
Power Dissipation (TC=25C) 42 W 89 W
Paket PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TTFN-9-3 (surface mount)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET N-Channel Trench Power MOSFET
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C —
RoHS Compliance RoHS Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL per JEDEC J-STD-020 —
Gate Drive Level Normal Level (10V VGS recommended) —
Series — OptiMOS 7
Continuous Drain Current (ID, TA=25C) — 58 A
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 379 A
On-Resistance RDS(on) max — 0.45 mOhm at VGS=10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
İşletim Sıcaklığı — -55C to +150C (junction)
RoHS Durumu — Compliant
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Packaging — Tape & Reel (CGATMA1 suffix)
Polarization — N-Channel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin