ISC058N04NM5ATMA1 vs IQE004NE1LM7CGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC058N04NM5ATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE004NE1LM7CGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC058N04NM5ATMA1 | IQE004NE1LM7CGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 40V Normal Level | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 15 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 63 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 17 A | — |
| On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A | 5.8 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.4 V | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3 W | 2.1 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | 42 W | 89 W |
| پیکیج | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TTFN-9-3 (surface mount) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | N-Channel Trench Power MOSFET |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C | — |
| RoHS Compliance | RoHS Compliant | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL per JEDEC J-STD-020 | — |
| Gate Drive Level | Normal Level (10V VGS recommended) | — |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| Continuous Drain Current (ID, TA=25C) | — | 58 A |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | — | 379 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 0.45 mOhm at VGS=10 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -55C to +150C (junction) |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Packaging | — | Tape & Reel (CGATMA1 suffix) |
| Polarization | — | N-Channel |