K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G085WF-BITD तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A4G085WG-BCWE द्वारा Samsung Electronics और K4A4G085WF-BITD द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A4G085WG-BCWE | K4A4G085WF-BITD |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | DRAM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| डेटा दर | 3200 Mbps/pin | — |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| पैकेज | FBGA-78 (BCW) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| इंटरफ़ेस | Parallel (DDR4) | Parallel, DDR4 SSTL12 |
| Burst Length | BL8 | BL8 |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +95C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| संगठन | — | 512M x 8 |
| Speed | — | 2666 Mbps (MT/s) |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Bank Architecture | — | 8 banks x 4 bank groups |
| CAS लेटेंसी | — | CL19 (typical at 2666 Mbps) |
| Termination | — | ODT / dynamic ODT |
| Data Mask | — | DM supported (x8) |
| Application Grade | — | Industrial |