K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G085WF-BITD השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A4G085WG-BCWE מאת Samsung Electronics ו K4A4G085WF-BITD מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A4G085WG-BCWE | K4A4G085WF-BITD |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | DRAM |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| קצב נתונים | 3200 Mbps/pin | — |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| מארז | FBGA-78 (BCW) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| ממשק | Parallel (DDR4) | Parallel, DDR4 SSTL12 |
| Burst Length | BL8 | BL8 |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +95C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| ארגון | — | 512M x 8 |
| Speed | — | 2666 Mbps (MT/s) |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Bank Architecture | — | 8 banks x 4 bank groups |
| השהיית CAS | — | CL19 (typical at 2666 Mbps) |
| Termination | — | ODT / dynamic ODT |
| Data Mask | — | DM supported (x8) |
| Application Grade | — | Industrial |