K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G085WF-BITD So sánh
So sánh chi tiết song song của K4A4G085WG-BCWE bằng Samsung Electronics và K4A4G085WF-BITD bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4A4G085WG-BCWE | K4A4G085WF-BITD |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | DRAM |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| Tốc độ dữ liệu | 3200 Mbps/pin | — |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| Hộp | FBGA-78 (BCW) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Giao diện | Parallel (DDR4) | Parallel, DDR4 SSTL12 |
| Burst Length | BL8 | BL8 |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +95C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Tổ chức | — | 512M x 8 |
| Speed | — | 2666 Mbps (MT/s) |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Bank Architecture | — | 8 banks x 4 bank groups |
| Latency CAS | — | CL19 (typical at 2666 Mbps) |
| Termination | — | ODT / dynamic ODT |
| Data Mask | — | DM supported (x8) |
| Application Grade | — | Industrial |