K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BICR तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G085WB-BICH द्वारा Samsung Electronics और K4A8G085WB-BICR द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G085WB-BICH | K4A8G085WB-BICR |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| संगठन | 1G x 8 | 1G x 8 |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2V | 1.2 V (VDD/VDDQ) |
| डेटा दर | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2400 Mbps |
| पैकेज | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to 85°C | — |
| Max Supply Current | 170mA | — |
| Burst Length | BL8, BL16 | — |
| CAS लेटेंसी | Programmable | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Die Revision | B-die | — |
| Number of Banks | — | 16 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| पिन काउंट | — | 78 |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| Temperature Grade | — | Industrial (I-grade) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] |
| Die / Process | — | Samsung 8Gb B-die DDR4 |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Refresh Management | — | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported |