K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BICR Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G085WB-BICH tarafından Samsung Electronics ve K4A8G085WB-BICR tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BICR
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8Gb 8 Gb
Organizasyon 1G x 8 1G x 8
Besleme Gerilimi 1.2V 1.2 V (VDD/VDDQ)
Veri Hızı 2400 Mbps (DDR4-2400) 2400 Mbps
Paket 78-ball FBGA 78-ball FBGA
İşletim Sıcaklığı 0°C to 85°C —
Max Supply Current 170mA —
Burst Length BL8, BL16 —
CAS Gecikme Programmable —
On-Die ECC Yes —
Data Bus Inversion Yes —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Die Revision B-die —
Number of Banks — 16
Refresh Cycles — 8192
Pin Sayısı — 78
Montaj Türü — Surface Mount
Temperature Grade — Industrial (I-grade)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix]
Die / Process — Samsung 8Gb B-die DDR4
Speed Grade — DDR4-2400 (PC4-19200)
RoHS Durumu — Compliant
Refresh Management — Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin