K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BICR Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci K4A8G085WB-BICH disebabkan oleh Samsung Electronics dan K4A8G085WB-BICR disebabkan oleh Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BICR
Merek Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Jenis Ingatan DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8Gb 8 Gb
Organisasi 1G x 8 1G x 8
Tegangan Pemberi Arus 1.2V 1.2 V (VDD/VDDQ)
Kadar Data 2400 Mbps (DDR4-2400) 2400 Mbps
Kemasan 78-ball FBGA 78-ball FBGA
Suhu Operasi 0°C to 85°C —
Max Supply Current 170mA —
Burst Length BL8, BL16 —
Latensi CAS Programmable —
On-Die ECC Yes —
Data Bus Inversion Yes —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Die Revision B-die —
Number of Banks — 16
Refresh Cycles — 8192
Kiraan Pin — 78
Jenis Pemasangan — Surface Mount
Temperature Grade — Industrial (I-grade)
Gambaran Suhu Operasi — [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix]
Die / Process — Samsung 8Gb B-die DDR4
Speed Grade — DDR4-2400 (PC4-19200)
Status RoHS — Compliant
Refresh Management — Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga