K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WC-BCRC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G085WC-BIWE द्वारा Samsung Electronics और K4A8G085WC-BCRC द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WC-BCRC |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | DRAM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| संगठन | 1G x 8 | 1G x 8 |
| डेटा दर | 3200 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40°C to +95°C | — |
| पैकेज | 78-FBGA | 78-ball FBGA (TFBGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| इंटरफ़ेस | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| CAS लेटेंसी | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Auto/Self refresh |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| Terminal Pitch | — | 0.8 mm |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0C to +95C |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |