K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WC-BCRC Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci K4A8G085WC-BIWE disebabkan oleh Samsung Electronics dan K4A8G085WC-BCRC disebabkan oleh Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Pengandingan Spesifikasi
| Parametr | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WC-BCRC |
|---|---|---|
| Merek | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | DRAM |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Jenis Ingatan | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| Organisasi | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Kadar Data | 3200 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Gambaran Suhu Operasi | -40°C to +95°C | — |
| Kemasan | 78-FBGA | 78-ball FBGA (TFBGA) |
| Jenis Pemasangan | Surface Mount | Surface Mount |
| Antaramuka | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Latensi CAS | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Auto/Self refresh |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Tegangan Pemberi Arus | — | 1.2 V |
| Terminal Pitch | — | 0.8 mm |
| Suhu Operasi | — | 0C to +95C |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |