K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WC-BCRC موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WC-BIWE بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WC-BCRC بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WC-BCRC |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | DRAM |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| تنظیم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -40°C to +95°C | — |
| پیکیج | 78-FBGA | 78-ball FBGA (TFBGA) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| انٹرفیس | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| CAS لیٹنسی | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Auto/Self refresh |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.2 V |
| Terminal Pitch | — | 0.8 mm |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0C to +95C |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |