K4AAG165WA-BCWE vs K4AAG165WM-BCWE तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4AAG165WA-BCWE द्वारा Samsung Electronics और K4AAG165WM-BCWE द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4AAG165WA-BCWE | K4AAG165WM-BCWE |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | DRAM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 16 Gb (2 GB) | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| डेटा दर | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | — |
| पैकेज | 96-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Package Dimensions | 13 x 9 mm | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] |
| इंटरफ़ेस प्रकार | Parallel, DDR4 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (Volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Density | — | 16 Gbit |
| संगठन | — | 256M x 16 (1G x 16) |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel (DDR4) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Burst Length | — | 8 |
| Die Revision | — | W (WM suffix) |
| Operating Frequency | — | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) |