K4AAG165WA-BCWE vs K4AAG165WM-BCWE موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4AAG165WA-BCWE بذریعہ Samsung Electronics اور K4AAG165WM-BCWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4AAG165WA-BCWE | K4AAG165WM-BCWE |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | DRAM |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 16 Gb (2 GB) | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Package Dimensions | 13 x 9 mm | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] |
| انٹرفیس ٹائپ | Parallel, DDR4 | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (Volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Density | — | 16 Gbit |
| تنظیم | — | 256M x 16 (1G x 16) |
| انٹرفیس | — | Parallel (DDR4) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] |
| CAS لیٹنسی | — | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Burst Length | — | 8 |
| Die Revision | — | W (WM suffix) |
| Operating Frequency | — | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) |