K4AAG165WA-BCWE vs K4AAG165WM-BCWE So sánh
So sánh chi tiết song song của K4AAG165WA-BCWE bằng Samsung Electronics và K4AAG165WM-BCWE bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4AAG165WA-BCWE - 16Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung
K4AAG165WA-BCWE ✓ Hoạt độngSamsung Electronics
K4AAG165WM-BCWE - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | Samsung
K4AAG165WM-BCWE ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4AAG165WA-BCWE | K4AAG165WM-BCWE |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | DRAM |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 16 Gb (2 GB) | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Tốc độ dữ liệu | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| Điện áp cung cấp | 1.2 V | — |
| Hộp | 96-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Package Dimensions | 13 x 9 mm | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Nhiệt độ hoạt động | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] |
| Loại giao diện | Parallel, DDR4 | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (Volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Density | — | 16 Gbit |
| Tổ chức | — | 256M x 16 (1G x 16) |
| Giao diện | — | Parallel (DDR4) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] |
| Latency CAS | — | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Burst Length | — | 8 |
| Die Revision | — | W (WM suffix) |
| Operating Frequency | — | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) |