K4AAG165WA-BCWE vs K4AAG165WM-BCWE Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4AAG165WA-BCWE tarafından Samsung Electronics ve K4AAG165WM-BCWE tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4AAG165WA-BCWE | K4AAG165WM-BCWE |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | DRAM |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Bellek Boyutu | 16 Gb (2 GB) | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Veri Hızı | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V | — |
| Paket | 96-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Package Dimensions | 13 x 9 mm | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| İşletim Sıcaklığı | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] |
| Arayüz Türü | Parallel, DDR4 | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (Volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Density | — | 16 Gbit |
| Organizasyon | — | 256M x 16 (1G x 16) |
| Arayüz | — | Parallel (DDR4) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] |
| CAS Gecikme | — | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Burst Length | — | 8 |
| Die Revision | — | W (WM suffix) |
| Operating Frequency | — | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) |