K4AAG165WM-BCTD vs K4AAG165WM-BCWE तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4AAG165WM-BCTD द्वारा Samsung Electronics और K4AAG165WM-BCWE द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4AAG165WM-BCTD | K4AAG165WM-BCWE |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | DRAM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| संगठन | 1G x 16 | 256M x 16 (1G x 16) |
| Speed | 2666 Mbps | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] |
| पैकेज | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 78-ball FBGA |
| इंटरफ़ेस | SSTL-12 | Parallel (DDR4) |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (BGA solder reflow) | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | RoHS (per LCSC listing) | Compliant |
| डेटा दर | — | 3200 Mbps |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Burst Length | — | 8 |
| Die Revision | — | W (WM suffix) |
| Operating Frequency | — | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) |