K4AAG165WM-BCTD vs K4AAG165WM-BCWE مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4AAG165WM-BCTD توسط Samsung Electronics و K4AAG165WM-BCWE توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4AAG165WM-BCTD | K4AAG165WM-BCWE |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | DRAM |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| سازمان | 1G x 16 | 256M x 16 (1G x 16) |
| Speed | 2666 Mbps | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| دمای کاری | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] |
| بسته‌بندی | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 78-ball FBGA |
| رابط | SSTL-12 | Parallel (DDR4) |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| نوع نصب | Surface Mount (BGA solder reflow) | Surface Mount |
| وضعیت RoHS | RoHS (per LCSC listing) | Compliant |
| نرخ داده | — | 3200 Mbps |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Burst Length | — | 8 |
| Die Revision | — | W (WM suffix) |
| Operating Frequency | — | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) |