K4AAG165WM-BCTD vs K4AAG165WM-BCWE موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4AAG165WM-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور K4AAG165WM-BCWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4AAG165WM-BCTD | K4AAG165WM-BCWE |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | DRAM |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| تنظیم | 1G x 16 | 256M x 16 (1G x 16) |
| Speed | 2666 Mbps | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] |
| پیکیج | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 78-ball FBGA |
| انٹرفیس | SSTL-12 | Parallel (DDR4) |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount (BGA solder reflow) | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | RoHS (per LCSC listing) | Compliant |
| ڈیٹا ریٹ | — | 3200 Mbps |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] |
| CAS لیٹنسی | — | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Burst Length | — | 8 |
| Die Revision | — | W (WM suffix) |
| Operating Frequency | — | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) |