K4AAG165WM-BCTD vs K4AAG165WM-BCWE השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4AAG165WM-BCTD מאת Samsung Electronics ו K4AAG165WM-BCWE מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4AAG165WM-BCTD | K4AAG165WM-BCWE |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | DRAM |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| ארגון | 1G x 16 | 256M x 16 (1G x 16) |
| Speed | 2666 Mbps | — |
| מתח אספקה | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] |
| מארז | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 78-ball FBGA |
| ממשק | SSTL-12 | Parallel (DDR4) |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount (BGA solder reflow) | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | RoHS (per LCSC listing) | Compliant |
| קצב נתונים | — | 3200 Mbps |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Burst Length | — | 8 |
| Die Revision | — | W (WM suffix) |
| Operating Frequency | — | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) |