K4B4G1646E-BMK0 vs K4B4G1646E-BMMA तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646E-BMK0 द्वारा Samsung Electronics और K4B4G1646E-BMMA द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646E-BMK0 | K4B4G1646E-BMMA |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $16.08 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C |
| पैकेज | 96-FBGA | 96-FBGA (9x13 mm) |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| डेटा दर | 1600 Mbps | 1600 Mbps |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.35 V |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (Dynamic ODT) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |