K4B4G1646E-BMK0 vs K4B4G1646E-BMMA مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646E-BMK0 بواسطة Samsung Electronics و K4B4G1646E-BMMA بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646E-BMK0 | K4B4G1646E-BMMA |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $16.08 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C |
| العلبة | 96-FBGA | 96-FBGA (9x13 mm) |
| الواجهة | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| معدل البيانات | 1600 Mbps | 1600 Mbps |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| جهد التغذية | — | 1.35 V |
| Number of Banks | — | 8 |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (Dynamic ODT) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |