K4B4G1646E-BMK0 vs K4B4G1646E-BMMA مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646E-BMK0 توسط Samsung Electronics و K4B4G1646E-BMMA توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646E-BMK0 | K4B4G1646E-BMMA |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | — | $16.08 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| دمای کاری | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C |
| بسته‌بندی | 96-FBGA | 96-FBGA (9x13 mm) |
| رابط | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| نرخ داده | 1600 Mbps | 1600 Mbps |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.35 V |
| Number of Banks | — | 8 |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (Dynamic ODT) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |