K4B4G1646F-BYK0 vs H5TC4G63AFR-PBA तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646F-BYK0 द्वारा Samsung Electronics और H5TC4G63AFR-PBA द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646F-BYK0 | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $3.98 |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V / 1.5V | — |
| डेटा दर | 1866 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| पैकेज | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to 95°C (TC) | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | 16-bit I/O |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 and 4 (with burst chop) |
| CAS लेटेंसी | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 4Gb |
| संगठन | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | 0°C to +95°C (Tcase) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |