K4B4G1646F-BYK0 vs H5TC4G63AFR-PBA موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646F-BYK0 بذریعہ Samsung Electronics اور H5TC4G63AFR-PBA بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646F-BYK0 | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $3.98 |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.35V / 1.5V | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1866 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to 95°C (TC) | — |
| انٹرفیس | Parallel | 16-bit I/O |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 and 4 (with burst chop) |
| CAS لیٹنسی | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 4Gb |
| تنظیم | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | 0°C to +95°C (Tcase) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |