K4B4G1646F-BYK0 vs H5TC4G63AFR-PBA So sánh
So sánh chi tiết song song của K4B4G1646F-BYK0 bằng Samsung Electronics và H5TC4G63AFR-PBA bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4B4G1646F-BYK0 | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | SK hynix |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Giá đơn vị (USD) | — | $3,98 |
| Kiểu bộ nhớ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| Điện áp cung cấp | 1.35V / 1.5V | — |
| Tốc độ dữ liệu | 1866 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Hộp | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Nhiệt độ hoạt động | 0°C to 95°C (TC) | — |
| Giao diện | Parallel | 16-bit I/O |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 and 4 (with burst chop) |
| Latency CAS | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 4Gb |
| Tổ chức | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | 0°C to +95°C (Tcase) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |