M29W400FT55N3E vs M29W320DB70N3E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W400FT55N3E द्वारा Micron Technology और M29W320DB70N3E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29W400FT55N3E | M29W320DB70N3E |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Flash |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | Flash - NOR Memory IC | NOR Flash |
| मेमोरी आकार | 4 Mbit | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read) | 2.7 V to 3.6 V |
| Sector Size | 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block) | — |
| Boot Block Position | Top (FT suffix) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Temperature Grade | Automotive | — |
| पैकेज | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| Number of Terminals | 48 | — |
| Package Code / Shape | TSSOP / Rectangular | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (MSL) | 3 (168 Hours) | — |
| Packaging | Tray | — |
| Peak Reflow Time | 30 s max | — |
| Companion Access-Time Grade | 55 ns and 70 ns versions available in family | — |
| Density | — | 32 Mbit (33554 kbits) |
| संगठन | — | 2M x 16 |
| Number of Words | — | 2000 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| VPP Fast Program Voltage | — | 12 V (optional) |
| Block Architecture | — | Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) |
| RoHS स्थिति | — | ROHS3 Compliant |
| Programming Mode | — | Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling |
| Power-Up Mode | — | Read mode (default) |